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GeSbTe是一种相变存储材料。
成分:Ge、Sb、Te(按所需原子比定制)纯度:99.99%密度:6.38 g/cm³(随成分变化)尺寸:50.8毫米 – 440毫米公差:直径±0.1毫米,厚度±0.1毫米表面粗糙度:32RMS
注意事项:公司可根据客户对密度、成分和尺寸的具体要求,提供定制的溅射靶材和化合物材料。