硫族化合物半导体
产品描述
这是一种重要的硫族化合物半导体，可在纳秒时间尺度内发生相变，用于下一代非易失性存储芯片。
产品规格
成分：S（按所需原子比定制）
纯度：99.99%
密度：4.3 g/cm³（随成分变化）
尺寸：50.8毫米 – 440毫米
公差：直径±0.1毫米，厚度±0.1毫米
表面粗糙度：32RMS
注意事项：公司可根据客户对密度、成分和尺寸的具体要求，提供定制的溅射靶材和化合物材料。
这是一种重要的硫族化合物半导体，可在纳秒时间尺度内发生相变，用于下一代非易失性存储芯片。
成分：S（按所需原子比定制）
纯度：99.99%
密度：4.3 g/cm³（随成分变化）
尺寸：50.8毫米 – 440毫米
公差：直径±0.1毫米，厚度±0.1毫米
表面粗糙度：32RMS
注意事项：公司可根据客户对密度、成分和尺寸的具体要求，提供定制的溅射靶材和化合物材料。