硒化铟（In₂Se₃）
产品描述
In₂Se₃ 主要用于半导体、光电子材料和传感器领域。
产品规格
成分：In₂Se₃（铟:硒 = 2:3）
纯度：99.99%
密度：5.7 g/cm³（随成分变化）
尺寸：50.8毫米 – 300毫米
公差：直径 ±0.1毫米，厚度 ±0.1毫米
表面粗糙度：32 RMS
注意事项：公司可根据客户对密度、成分和尺寸的具体要求，提供定制化的溅射靶材和化合物材料。
In₂Se₃ 主要用于半导体、光电子材料和传感器领域。
成分：In₂Se₃（铟:硒 = 2:3）
纯度：99.99%
密度：5.7 g/cm³（随成分变化）
尺寸：50.8毫米 – 300毫米
公差：直径 ±0.1毫米，厚度 ±0.1毫米
表面粗糙度：32 RMS
注意事项：公司可根据客户对密度、成分和尺寸的具体要求，提供定制化的溅射靶材和化合物材料。