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In₂S₃ 是一种重要的半导体材料。
成分:In:S(2:3)纯度:99.99%密度:4.66 g/cm³(随成分变化)尺寸:50.8毫米 – 300毫米公差:直径 ±0.1毫米,厚度 ±0.1毫米表面粗糙度:32 RMS
注意事项:公司可根据客户对密度、成分和尺寸的具体要求,提供定制化的溅射靶材和化合物材料。